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  • 型号: VNP10N06-E
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VNP10N06-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNP10N06-E价格参考。STMicroelectronicsVNP10N06-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VNP10N06-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VNP10N06-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的VNP10N06-E是一款PMIC(电源管理集成电路),属于配电开关和负载驱动器类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 消费电子设备:  
   VNP10N06-E适用于各种便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机等。它能够高效地控制和分配电源到不同的功能模块(如显示屏、传感器、音频电路等),同时确保低功耗和高可靠性。

2. 工业自动化:  
   在工业控制系统中,该器件可用于驱动小型电机、继电器或电磁阀等负载。其内置保护功能(如过流保护、过温关断)有助于提高系统的稳定性和安全性。

3. 物联网(IoT)设备:  
   对于需要低功耗运行的IoT设备(如智能传感器、无线模块等),VNP10N06-E可以提供精确的电源管理和负载控制,延长电池寿命并优化性能。

4. 汽车电子:  
   虽然VNP10N06-E并非专为汽车级设计,但在某些非关键车载应用中(如车内饰灯、音响系统等),它可以作为配电开关来使用,确保电流分配的安全性和效率。

5. 通信设备:  
   在路由器、交换机或其他网络设备中,该器件可用于管理不同模块的电源供应,支持多路负载切换和保护。

总结来说,VNP10N06-E凭借其高性能、低功耗和丰富的保护特性,广泛应用于需要精确电源控制和负载驱动的场景,满足多样化电子产品的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

MOSFET OMNIFET 60V 10A TO-220MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics VNP10N06-EOMNIFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

VNP10N06-E

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

150 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

150 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF65662?referrer=70071840

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

150 毫欧

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工作温度

-

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

10 A

电压-电源

-

电流-峰值输出

10A

电流-输出/通道

-

类型

低端

系列

VNP10N06-E

输入类型

非反相

输出数

1

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