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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VNP10N06-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNP10N06-E价格参考。STMicroelectronicsVNP10N06-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VNP10N06-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VNP10N06-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的VNP10N06-E是一款PMIC(电源管理集成电路),属于配电开关和负载驱动器类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 消费电子设备: VNP10N06-E适用于各种便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机等。它能够高效地控制和分配电源到不同的功能模块(如显示屏、传感器、音频电路等),同时确保低功耗和高可靠性。 2. 工业自动化: 在工业控制系统中,该器件可用于驱动小型电机、继电器或电磁阀等负载。其内置保护功能(如过流保护、过温关断)有助于提高系统的稳定性和安全性。 3. 物联网(IoT)设备: 对于需要低功耗运行的IoT设备(如智能传感器、无线模块等),VNP10N06-E可以提供精确的电源管理和负载控制,延长电池寿命并优化性能。 4. 汽车电子: 虽然VNP10N06-E并非专为汽车级设计,但在某些非关键车载应用中(如车内饰灯、音响系统等),它可以作为配电开关来使用,确保电流分配的安全性和效率。 5. 通信设备: 在路由器、交换机或其他网络设备中,该器件可用于管理不同模块的电源供应,支持多路负载切换和保护。 总结来说,VNP10N06-E凭借其高性能、低功耗和丰富的保护特性,广泛应用于需要精确电源控制和负载驱动的场景,满足多样化电子产品的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | MOSFET OMNIFET 60V 10A TO-220MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics VNP10N06-EOMNIFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VNP10N06-E |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF65662?referrer=70071840 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 150 毫欧 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 10A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | VNP10N06-E |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |