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  • 型号: VND1NV04TR-E
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VND1NV04TR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VND1NV04TR-E价格参考。STMicroelectronicsVND1NV04TR-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VND1NV04TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VND1NV04TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC PWR MOSFET 40V 1.7A DPAK门驱动器 N-Ch 40V 1.7A Omni

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关电源管理 IC

Id-ContinuousDrainCurrent

1.7 A

Id-连续漏极电流

1.7 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

门驱动器,STMicroelectronics VND1NV04TR-EOMNIFET II™

数据手册

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产品型号

VND1NV04TR-E

Pd-PowerDissipation

35 W

Pd-功率耗散

35 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

250 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

250 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

上升时间

170 ns

下降时间

200 ns

产品

MOSFET Gate Drivers

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261

产品种类

门驱动器

供应商器件封装

D-Pak

关闭

Yes

典型关闭延迟时间

350 ns

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

250 毫欧

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工作温度

-

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大关闭延迟时间

1000 ns

最大功率耗散

35 W

最大工作温度

+ 150 C

最大开启延迟时间

200 ns

最小工作温度

- 40 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

2 S

激励器数量

1 Driver

电压-电源

-

电流-峰值输出

1.7A

电流-输出/通道

-

电源电流

100 uA

类型

Autoprotected Power MOSFET

系列

VND1NV04

输入类型

非反相

输出数

1

输出电流

1.7 A

输出端数量

1 Output

配置

Single

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