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  • 型号: VMO80-05P1
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VMO80-05P1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO80-05P1价格参考。IXYSVMO80-05P1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VMO80-05P1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VMO80-05P1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

VMO80-05P1 是一款由 Vishay(威世)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单个”类别。其典型参数包括:漏源电压 VDS = 50 V,连续漏极电流 ID(TC=25°C)≈ 80 A,导通电阻 RDS(on) 典型值低至 4.5 mΩ(VGS=10 V),采用 TO-263(D²PAK)表面贴装封装,具备优异的散热性能与高电流处理能力。

该器件主要应用于中高压、大电流开关场景,常见于:  
✅ DC-DC 电源模块(如服务器/通信设备中的同步降压转换器);  
✅ 电机驱动电路(如无刷直流电机(BLDC)的相桥臂下管);  
✅ 电池管理系统(BMS)中的充放电主控开关或保护回路;  
✅ 工业电源与 UPS 系统中的高效功率开关;  
✅ LED 驱动电源及大功率照明调光控制。

其低 RDS(on) 和高电流能力可显著降低导通损耗,提升系统效率;TO-263 封装便于 PCB 散热设计,适用于空间受限但需高功率密度的场合。需注意:实际应用中应确保栅极驱动电压稳定(推荐 ≥10 V)、配备适当驱动能力,并做好热管理(如敷铜面积≥20 cm²或加散热片)。不建议用于高频开关(>100 kHz)场景,因其栅极电荷与开关时间相对较大,更适配中频(20–100 kHz)硬开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH ECO-PAC2

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

产品图片

产品型号

VMO80-05P1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

供应商器件封装

ECO-PAC2

功率-最大值

-

包装

散装

安装类型

底座安装

封装/外壳

ECO-PAC2

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

-

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

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