Datasheet下载- 型号： VMO1600-02P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMO1600-02P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO1600-02P价格参考。IXYSVMO1600-02P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMO1600-02P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMO1600-02P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS（现属Littelfuse）的VMO1600-02P是一款高压、高功率N沟道增强型垂直MOSFET，主要面向工业级开关应用。其典型参数包括：漏源电压VDS = 2000 V、连续漏极电流ID = 1.6 A（Tc=25°C）、导通电阻RDS(on) ≈ 10 Ω（典型值），采用TO-220AB封装，具备雪崩耐受能力与高dv/dt抗扰性。 该器件适用于需承受高电压、中等电流且强调可靠性的场合，典型应用场景包括： 🔹 高压直流电源中的开关/续流元件（如电容放电电路、高压DC-DC变换器初级侧开关）； 🔹 工业控制设备中的固态继电器（SSR）或电磁阀/高压负载驱动模块； 🔹 X射线发生器、激光二极管驱动器、静电发生器等特种高压脉冲电源； 🔹 电子点火系统（如燃气轮机、工业燃烧器点火控制）； 🔹 电池管理系统（BMS）中的高压隔离断路保护或预充电控制。 需注意：VMO1600-02P为单管结构，非逻辑电平驱动，需匹配足够驱动能力的栅极驱动电路（推荐VGS = +15 V～+20 V），并重视散热设计（热阻RθJC ≈ 40°C/W）。不适用于高频（>100 kHz）或大电流（>2 A持续）场景，建议在硬开关、低频（kHz级）高压应用中发挥其高耐压与鲁棒性优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VMO1600-02P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PolarHT™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2900nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 毫欧 @ 1600A，10V |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
| 其它名称 | VMO160002P |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-Li |
| 标准包装 | 2 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1900A |
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