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- 型号： VMM85-02F
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMM85-02F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMM85-02F价格参考。IXYSVMM85-02F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMM85-02F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMM85-02F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMM85-02F 是 IXYS（现属 Littelfuse）推出的双通道高压、高电流 N 沟道 MOSFET 阵列模块，采用隔离式 TO-247-4L 封装，额定电压 200 V，连续漏极电流达 85 A（单通道），具备低导通电阻（Rds(on) ≈ 3.5 mΩ）、快速开关特性及内置共源极隔离结构。其典型应用场景包括： 1. 工业电机驱动：用于三相逆变器的上/下半桥（尤其适配中小功率伺服或变频器），双管集成简化布局并提升相位一致性； 2. UPS 与储能系统：在 DC-AC 逆变级中承担高频切换，支持高效能量转换与可靠短路保护； 3. 开关电源（如通信电源、服务器 PSU）：作为同步整流或主开关器件，提升效率并降低热设计难度； 4. 感应加热与焊接设备：利用其高 di/dt 耐受能力与低开关损耗，满足中频谐振电路的硬开关需求； 5. 新能源车载充电机（OBC）与 DC-DC 变换器：符合车规级可靠性要求（需配合认证设计），适用于 400 V 系统平台。 该器件强调高功率密度与电气隔离（两通道间绝缘耐压 ≥ 2.5 kV），可减少外围隔离元件，适用于空间受限且对EMI和热管理敏感的中高功率应用。实际使用中需配合优化栅极驱动（推荐 ±15 V 驱动）及散热设计（建议强制风冷或水冷）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET MOD PHASE LEG 200V Y4 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VMM85-02F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 450nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | Y4 |
| 功率-最大值 | 370W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y4 |
| 标准包装 | 6 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A |
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