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  • 型号: VB20100C-E3/4W
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供VB20100C-E3/4W由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VB20100C-E3/4W价格参考。VishayVB20100C-E3/4W封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VB20100C-E3/4W参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VB20100C-E3/4W 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Semiconductor Diodes Division 的 VB20100C-E3/4W 是一款二极管整流器阵列,主要用于电力电子领域中的高效整流和保护功能。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 直流-直流转换:该型号的二极管阵列适用于开关模式电源(SMPS)中的整流部分,用于将交流信号转换为稳定的直流输出。
   - 电压调节:在需要高效率电压调节的电路中,VB20100C-E3/4W 可以帮助实现低损耗的整流操作。

 2. 电机驱动与控制
   - 在无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,该二极管可用于续流路径,防止反电动势损坏其他元件。
   - 提供高效的能量回收功能,减少系统功耗。

 3. 保护电路
   - 反向电压保护:由于其快速恢复特性,VB20100C-E3/4W 能够有效防止电源极性接反时对设备造成损害。
   - 瞬态电压抑制:在高频或高压环境下,该二极管可以吸收瞬态尖峰电压,保护敏感元件。

 4. 通信设备
   - 在基站、路由器或其他通信设备中,作为功率级电路的一部分,确保稳定可靠的电流传输。
   - 支持多通道整流需求,简化复杂电路设计。

 5. 汽车电子
   - 应用于车载充电器、LED 照明驱动以及电池管理系统(BMS)中,提供高可靠性和耐高温性能。
   - 满足汽车环境下的严格要求,如抗振动、抗温度变化等。

 6. 工业自动化
   - 在可编程逻辑控制器(PLC)、变频器和伺服驱动器中,该二极管阵列用于整流和保护功能,确保设备长时间稳定运行。

 性能优势
- 低正向压降:减少功率损耗,提高系统效率。
- 快速恢复时间:适合高频应用,降低开关损耗。
- 高可靠性:经过严格测试,适应恶劣工作条件。

综上所述,VB20100C-E3/4W 广泛应用于各种需要高效整流和保护的场景,尤其在电源管理、电机控制和通信设备中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB肖特基二极管与整流器 20 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VB20100C-E3/4WTMBS®

数据手册

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产品型号

VB20100C-E3/4WVB20100C-E3/4W

不同If时的电压-正向(Vf)

790mV @ 10A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

800µA @ 100V

二极管类型

肖特基

二极管配置

1 对共阴极

产品

Schottky Rectifiers

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

TO-263AB

其它名称

VB20100C-E3/4W-ND
VB20100C-E3/4WGI

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

Vishay Semiconductors

商标名

TMBS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK (TO-263AB)

峰值反向电压

100 V

工作温度范围

- 40 C to + 150 C

工厂包装数量

1000

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

800 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

150 A

最小工作温度

- 40 C

标准包装

50

正向电压下降

0.79 V at 10 A

正向连续电流

20 A

电压-DC反向(Vr)(最大值)

100V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

10A

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Dual Common Cathode

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