UVK105CH0R4BW-F产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供UVK105CH0R4BW-F由TAIYO YUDEN-XENTEK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供UVK105CH0R4BW-F价格参考以及TAIYO YUDEN-XENTEKUVK105CH0R4BW-F封装/规格参数等产品信息。 你可以下载UVK105CH0R4BW-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有UVK105CH0R4BW-F详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Taiyo Yuden（太阳诱电）UVK105CH0R4BW-F 是一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），其关键参数为：容量0.4pF、容差±0.05pF（B级）、额定电压50V、温度特性为CH（即-20℃~+85℃范围内电容变化率≤±30ppm/℃，属超稳定C0G/NP0类），封装尺寸为0402（1.0×0.5mm）。  

该器件专为超高频、高精度、低损耗场景设计，典型应用场景包括：  
1. 射频前端电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/7射频收发器中的匹配网络、天线调谐及滤波器微调，利用其极小容量与超高稳定性实现精准阻抗匹配；  
2. 高频振荡与时钟电路：在VCO（压控振荡器）、PLL环路滤波器或晶体振荡器负载电容中，提供低相位噪声和优异温度稳定性；  
3. 测试测量设备：高端频谱分析仪、矢量网络分析仪的校准路径或信号路径中，作为精密耦合/隔直电容，确保信号完整性；  
4. 医疗与雷达系统：超声成像前端、毫米波雷达接收链路等对寄生参数和老化特性极为敏感的应用。  

其超窄容差（±0.05pF）和CH材质带来的极低介电吸收与介质损耗（tanδ＜0.001），使其成为替代传统云母或薄膜电容的理想微型化方案，尤其适用于空间受限且性能要求严苛的高频模拟电路。

UVK105CH0R4BW-F产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供UVK105CH0R4BW-F由SAW设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供UVK105CH0R4BW-F价格参考以及SAWUVK105CH0R4BW-F封装/规格参数等产品信息。 你可以下载UVK105CH0R4BW-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有UVK105CH0R4BW-F详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Taiyo Yuden（太阳诱电）UVK105CH0R4BW-F 是一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），其关键参数为：容量0.4pF、容差±0.05pF（B级）、额定电压50V、温度特性为CH（即-20℃~+85℃范围内电容变化率≤±30ppm/℃，属超稳定C0G/NP0类），封装尺寸为0402（1.0×0.5mm）。  

该器件专为超高频、高精度、低损耗场景设计，典型应用场景包括：  
1. 射频前端电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/7射频收发器中的匹配网络、天线调谐及滤波器微调，利用其极小容量与超高稳定性实现精准阻抗匹配；  
2. 高频振荡与时钟电路：在VCO（压控振荡器）、PLL环路滤波器或晶体振荡器负载电容中，提供低相位噪声和优异温度稳定性；  
3. 测试测量设备：高端频谱分析仪、矢量网络分析仪的校准路径或信号路径中，作为精密耦合/隔直电容，确保信号完整性；  
4. 医疗与雷达系统：超声成像前端、毫米波雷达接收链路等对寄生参数和老化特性极为敏感的应用。  

其超窄容差（±0.05pF）和CH材质带来的极低介电吸收与介质损耗（tanδ＜0.001），使其成为替代传统云母或薄膜电容的理想微型化方案，尤其适用于空间受限且性能要求严苛的高频模拟电路。