Datasheet下载- 型号： TRS12E65C,S1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TRS12E65C,S1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TRS12E65C,S1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TRS12E65C,S1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TRS12E65C,S1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TRS12E65C,S1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 650V TO-220-2L肖特基二极管与整流器 SiC Schottky 650V 90uA 1.70V IF 12A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TRS12E65C&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Toshiba TRS12E65C,S1Q- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TRS12E65C |
| 产品型号 | TRS12E65C,S1QTRS12E65C,S1Q |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 12A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 65pF @ 650V、 1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 90µA @ 170V |
| 二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220-2L |
| 其它名称 | TRS12E65CS1Q |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 封装/箱体 | TO-220-2 |
| 峰值反向电压 | 650 V |
| 工作温度-结 | 175°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | SiC |
| 最大二极管电容 | 65 pF |
| 最大反向漏泄电流 | 90 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 60 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 1.7 V |
| 正向连续电流 | 12 A |
| 热阻 | 1.9°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 650V |
| 电流-平均整流(Io) | 12A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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