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Datasheet下载- 型号： TRD236DT4
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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TRD236DT4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TRD236DT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供TRD236DT4价格参考以及STMicroelectronicsTRD236DT4封装/规格参数等产品信息。 你可以下载TRD236DT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有TRD236DT4详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 400V 4A DPAK两极晶体管 - BJT High Voltage NPN 700V VCES 400V VCEO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics TRD236DT4- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TRD236DT4 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.3V @ 600mA，2.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 8 @ 2.5A，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | 497-11858-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC1229/PF252193?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 35 W |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 250µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
| 系列 | TRD236D |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | - |
