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  • 型号: TPS2412DR
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPS2412DR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPS2412DR价格参考。Texas InstrumentsTPS2412DR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPS2412DR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPS2412DR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

TPS2412DR是Texas Instruments(德州仪器)推出的一款理想二极管控制器,属于PMIC中的OR控制器类别。该器件主要用于实现高效、低功耗的电源冗余和负载共享应用。其典型应用场景包括工业自动化系统、通信设备、服务器电源系统以及高可用性电源架构。

TPS2412DR通过控制外部N沟道MOSFET,替代传统肖特基二极管,实现更低的导通压降和更高的转换效率,显著减少发热并提升系统能效。它支持宽输入电压范围(4.5V至36V),适用于多种直流电源环境,如双电源备份系统(主备电源切换)、并联电源均流设计等。

在电信基站、路由器或交换机中,TPS2412DR可用于实现多电源输入的无缝切换,确保系统在某一电源故障时仍能持续运行,提高供电可靠性。此外,其快速响应能力可有效防止反向电流,避免电源倒灌损坏上游电路。

该器件采用8引脚SOIC封装(DR后缀),具备过温保护、电流限制等安全功能,工作温度范围宽(-40°C至+125°C),适合严苛工业环境。由于无需外部检测电阻,设计简洁,节省PCB空间,有助于简化电源管理设计。

综上,TPS2412DR广泛应用于需要高可靠性、高效率电源冗余管理的工业、通信及嵌入式系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC OR CTRLR N+1 8SOIC

产品分类

PMIC - OR 控制器,理想二极管

FET类型

N 沟道

品牌

Texas Instruments

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

TPS2412DR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

8-SOIC

内部开关

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

工作温度

-40°C ~ 85°C

应用

N+1 电源,高可用性

延迟时间-关闭

130ns

延迟时间-开启

-

标准包装

2,500

比率-输入:输出

N:1

电压-电源

3 V ~ 16.5 V

电流-电源

4.25mA

电流-输出(最大值)

-

类型

N+1 ORing 控制器

配用

/product-detail/zh/TPS2413EVM/296-31133-ND/1907725/product-detail/zh/TPS2412EVM/296-31132-ND/1907721

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