Datasheet下载- 型号： TPN6R303NC,LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN6R303NC,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN6R303NC,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN6R303NC,LQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN6R303NC,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN6R303NC,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPN6R303NC,LQ 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和信号切换的应用场景。 主要应用场景： 1. 电源管理： - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：TPN6R303NC,LQ 可用于降压、升压或升降压转换器中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 - 电池管理系统（BMS）：在锂电池等电池管理系统中，MOSFET 用于控制电池充放电路径，确保电池的安全和高效运行。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机驱动电路中，MOSFET 用于控制电机的相位电流，实现精确的速度和位置控制。 - 步进电机驱动：用于步进电机的电流控制，确保电机平稳运行，避免过热或失步现象。 3. 信号切换： - 负载开关：在便携式电子设备中，MOSFET 用作负载开关，控制不同模块的供电状态，延长电池寿命。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和长寿命，MOSFET 可以替代传统机械继电器，用于高频信号或大电流信号的切换。 4. 保护电路： - 过流保护：通过检测 MOSFET 的导通电压，可以实现过流保护功能，防止电路因过载而损坏。 - 短路保护：在发生短路时，MOSFET 可以迅速关断，保护电源和其他电路元件。 5. 汽车电子： - 车身控制系统：如车窗、座椅调节、灯光控制等，MOSFET 用于驱动这些系统的电机或执行器。 - 车载充电器：用于车载充电器中的电源管理，确保充电过程的安全和稳定。 总之，TPN6R303NC,LQ 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域，特别是在需要高效电源管理和快速信号切换的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1370 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADVMOSFET N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 43 A |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN6R303NC |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN6R303NC,LQ- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN6R303NC |
| 产品型号 | TPN6R303NC,LQTPN6R303NC,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V to 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V to 2.3 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1370pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN6R303NCLQCT |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TSON-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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