Datasheet下载- 型号： TPN4R303NL,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN4R303NL,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN4R303NL,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN4R303NL,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN4R303NL,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN4R303NL,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPN4R303NL, L1Q 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage 旗下的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），为 单沟道增强型功率MOSFET。该器件主要面向 高效率、高频开关应用 场景。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于需要高效能和小体积设计的场合。 2. 负载开关与电源控制：用于智能电池管理系统、服务器与通信设备中的负载切换控制。 3. 电机驱动与逆变器：适用于小型电机控制、风扇驱动、电动车或工业控制中的功率切换。 4. 消费类电子产品：如智能手机充电器、平板电脑、笔记本电脑的内部电源管理模块。 5. 工业自动化与物联网设备：用于传感器、继电器驱动、LED照明调光等低功耗控制电路中。 该MOSFET具有低导通电阻、优良的热性能和小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于对空间和效率要求较高的现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN4R303NL |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPN4R303NL,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN4R303NLL1QDKR |
| 功率-最大值 | 34W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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