Datasheet下载- 型号： TPN11003NL,LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN11003NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN11003NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN11003NL,LQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN11003NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN11003NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPN11003NL,LQ 是由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - TPN11003NL,LQ 可用于开关电源中的功率开关，适用于高效能的 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，该 MOSFET 可作为功率级开关，用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 例如：家用电器（如风扇、吸尘器）或工业设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动。 3. 电池管理 - 适用于便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）的电池保护电路。 - 可用作电池充放电路径的开关，确保过流保护和短路保护。 4. 负载开关 - 在需要快速开启/关闭负载的应用中，该 MOSFET 提供了低功耗和高效率的解决方案。 - 常见于消费类电子产品（如 USB 充电器、音频设备）中。 5. LED 驱动 - 用于 LED 照明系统的恒流驱动电路，提供稳定的电流输出，确保 LED 的亮度一致性和长寿命。 - 特别适合汽车照明、背光显示和通用照明应用。 6. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中，可用作信号切换或功率管理组件。 - 支持高频操作，满足现代通信系统对高性能的需求。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域，可用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统和电动助力转向系统（EPS）等。 - 具备良好的耐热性和可靠性，适应严苛的工作环境。 总结 TPN11003NL,LQ 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。其低导通电阻和高开关速度使其成为高效功率转换和精密控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 510 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADVMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 19W 510pF 31A 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN11003NL,LQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN11003NL |
| 产品型号 | TPN11003NL,LQTPN11003NL,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 19 W |
| Pd-功率耗散 | 19 W |
| Qg-GateCharge | 7.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.6 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 2.1 ns |
| 下降时间 | 1.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 5.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN11003NLLQCT |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12.6 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TSON-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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