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  • 型号: TPC8A05-H(TE12L,QM
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8A05-H(TE12L,QM由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8A05-H(TE12L,QM价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8A05-H(TE12L,QM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPC8A05-H(TE12L,QM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPC8A05-H(TE12L,QM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH SBD 30V 10A 8SOP

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TPC8A05-H&lang=en&type=datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

TPC8A05-H(TE12L,QM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1700pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.3 毫欧 @ 5A,10V

供应商器件封装

8-SOP(5.5x6.0)

其它名称

TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM

功率-最大值

-

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Ta)

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