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  • 型号: TPC6109-H(TE85L,FM
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPC6109-H(TE85L,FM由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC6109-H(TE85L,FM价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC6109-H(TE85L,FM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPC6109-H(TE85L,FM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPC6109-H(TE85L,FM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

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产品图片

产品型号

TPC6109-H(TE85L,FM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

490pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

59 毫欧 @ 2.5A,10V

产品目录绘图

供应商器件封装

VS-6(2.9x2.8)

其它名称

TPC6109-H(TE85LFMDKR
TPC6109-HTE85LFDKR
TPC6109-HTE85LFDKR-ND

功率-最大值

-

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

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