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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TP89R103NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TP89R103NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TP89R103NL,LQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TP89R103NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TP89R103NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 630 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 15A 8SOPMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TP89R103NL,LQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TP89R103NL&lang=en&type=datasheet |
| 产品型号 | TP89R103NL,LQTP89R103NL,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| Qg-GateCharge | 9.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 2.3 ns |
| 下降时间 | 2.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 820pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.1 毫欧 @ 7.5A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | TP89R103NLLQDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |