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Datasheet下载- 型号： TLP184(GB,E)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TLP184(GB,E)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TLP184(GB,E)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TLP184(GB,E)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TLP184(GB,E)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TLP184(GB,E) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 的 TLP184(GB,E) 是一款光隔离器（光电耦合器），属于晶体管输出类型。它通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离，广泛应用于需要高隔离电压、低噪声和稳定性能的场景。以下是其主要应用场景： 1. 工业自动化 - PLC（可编程逻辑控制器）：用于信号传输和隔离，保护控制系统免受电磁干扰。 - 传感器接口：将传感器的微弱信号与主电路隔离，提高系统稳定性。 - 电机驱动器：在变频器和伺服驱动器中，用于控制信号的隔离。 2. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：实现初级侧与次级侧的电气隔离，确保安全和稳定的电压输出。 - 逆变器：在太阳能逆变器或UPS系统中，用于反馈信号的隔离。 3. 通信设备 - 数据传输：在长距离或嘈杂环境中，通过光隔离减少信号干扰。 - 网络接口：用于隔离以太网或其他通信协议中的信号，防止地环路问题。 4. 医疗设备 - 患者监测设备：如心电图仪（ECG）、血压计等，确保患者与设备之间无直接电气连接，提高安全性。 - 诊断仪器：用于信号隔离，避免干扰和损坏精密组件。 5. 汽车电子 - 车载控制系统：在电动车或混合动力车中，用于电池管理系统（BMS）中的信号隔离。 - 点火系统：隔离高压信号，保护低压控制电路。 6. 家用电器 - 智能家电：如空调、洗衣机等，用于控制信号的隔离，防止强电干扰弱电信号。 - 触摸屏控制器：在触摸屏与主控芯片之间提供隔离，提升抗噪能力。 特性优势 - 高隔离电压：支持高达5000Vrms的隔离电压，确保安全性。 - 快速响应：适合高频信号传输，满足实时控制需求。 - 低功耗：适用于对能效要求较高的应用场合。 - 可靠性高：能够在恶劣环境下长期稳定工作。 总之，TLP184(GB,E) 以其出色的电气隔离性能和可靠性，成为众多工业、医疗、通信及消费电子领域中不可或缺的关键器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD晶体管输出光电耦合器 AC Input 80V Trans 3750Vrms Optocoupler |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba TLP184(GB,E)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP184点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TLP184(GB,E)TLP184(GB,E) |
| Vce饱和值（最大值） | 300mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 5µs， 9µs |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 6-SO, 4 个接脚 |
| 其它名称 | TLP184(GBE) |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 6-SMD（4 个接脚），鸥形翼 |
| 封装/箱体 | SOIC-6 |
| 工作温度 | -55°C ~ 110°C |
| 工厂包装数量 | 125 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 9µs， 9µs |
| 最大上升时间 | 5 us |
| 最大下降时间 | 9 us |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 110 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.4 V |
| 最大输入二极管电流 | 10 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 80 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 125 |
| 正向电流 | 16 mA |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.25V |
| 电压-输出（最大值） | 80V |
| 电压-隔离 | 3750Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 50mA |
| 电流-输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最大值） | 400% @ 5mA |
| 电流传输比（最小值） | 100% @ 5mA |
| 电流传递比 | 400 % |
| 绝缘电压 | 3750 Vrms |
| 输入类型 | ACAC，DC |
| 输出类型 | 晶体管DC |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
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