Datasheet下载- 型号： TK30E06N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK30E06N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK30E06N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK30E06N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK30E06N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK30E06N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK30E06N1,S1X 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管，属于 FET、MOSFET - 单 类别，是一款性能优良的N沟道功率MOSFET。该器件主要应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换器（如DC-DC转换器）：适用于高效的电压调节系统，常用于服务器、通信设备和工业控制设备中的电源模块。 2. 电机驱动电路：由于具备低导通电阻和良好的热稳定性，适合用于直流电机或步进电机的控制与驱动。 3. 负载开关应用：可用于智能电池管理、热插拔系统等，作为高速开关使用。 4. 汽车电子系统：如车载充电系统、辅助电机控制等，满足车用环境对稳定性和耐久性的要求。 5. 消费类电子产品：例如笔记本电脑、高端路由器及大功率LED照明系统的电源管理部分。 该MOSFET具有较高的耐用性与效率，适合在中高功率场景中替代传统双极型晶体管，提升整体系统效能并减少发热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 30A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK30E06N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK30E06N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK30E06N1S1X |
| 功率-最大值 | 53W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 43A （Ta） |
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