Datasheet下载- 型号： TK22E10N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK22E10N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK22E10N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK22E10N1,S1X封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK22E10N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK22E10N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK22E10N1,S1X 的晶体管由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产，属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）- 单个 类别。该器件是一款 N沟道增强型MOSFET，广泛应用于中高功率电子系统中。 应用场景包括： 1. 电源管理设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于高效能开关操作。 2. 电机驱动电路：适用于小型电机控制，提供快速开关响应和低导通电阻。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、移动电源等便携式电子产品中的电源切换与管理。 4. 负载开关应用：用于控制高电流负载的开启与关闭，具有良好的热稳定性和过载保护能力。 5. 工业自动化系统：在PLC、传感器模块或执行器控制中作为高频开关元件使用。 6. 汽车电子系统：如车载充电器、车身控制系统等对可靠性要求较高的环境中。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压和良好热性能，适合需要高效能和小型化设计的电路方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 52A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK22E10N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK22E10N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.8 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK22E10N1S1X |
| 功率-最大值 | 72W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 52A （Tc） |
(SN).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
