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Datasheet下载- 型号： TK20A60W,S5VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK20A60W,S5VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK20A60W,S5VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK20A60W,S5VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS。您可以下载TK20A60W,S5VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK20A60W,S5VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的TK20A60W,S5VX是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET常用于开关电源、DC-DC转换器和电压调节模块中，提供高效的电流切换和电压控制。它能够快速响应负载变化，确保系统稳定运行。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，TK20A60W,S5VX可以用于驱动小型直流电机或步进电机，实现精确的速度和位置控制。 3. 电池管理系统：此MOSFET适用于锂电池组的保护电路，防止过充、过放和短路等异常情况。它能迅速切断电流路径，保护电池安全。 4. 逆变器和太阳能系统：在光伏逆变器和其他可再生能源系统中，这款MOSFET有助于将直流电转换为交流电，提高能量转换效率。 5. 汽车电子：在车载电子设备如LED照明、车载充电器和车身控制系统中，该MOSFET因其低导通电阻和高耐压特性而被广泛采用。 6. 消费电子产品：包括智能手机快充适配器、笔记本电脑电源适配器和平板电脑在内的消费类电子产品也受益于其高性能和可靠性。 7. 工业控制：在PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和其他工业控制装置中，MOSFET用于实现精准的信号处理和功率输出。 总之，TK20A60W,S5VX凭借其卓越的电气性能和可靠性，在众多领域发挥着重要作用，特别是在需要高效、紧凑且稳定的功率管理解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 1680 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220SISMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK20A60W&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK20A60W,S5VX- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20A60W |
| 产品型号 | TK20A60W,S5VXTK20A60W,S5VX |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 48 nC |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 10A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK20A60WS5VX |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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