Datasheet下载- 型号： TGF2018
- 制造商： TriQuint Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TGF2018由TriQuint Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TGF2018价格参考。TriQuint SemiconductorTGF2018封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TGF2018参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TGF2018 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 58 mA |
| Id-连续漏极电流 | 58 mA |
| 品牌 | TriQuint Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频JFET晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.triquint.com/products/d/DOC-B-00000370 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,TriQuint Semiconductor TGF2018 |
| P1dB | 22 dBm |
| 产品型号 | TGF2018 |
| Pd-PowerDissipation | 0.64 W |
| Pd-功率耗散 | 0.64 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 15 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 功率耗散 | 0.64 W |
| 商标 | TriQuint Semiconductor |
| 噪声系数 | 1 dB |
| 增益 | 14 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Gel Pack |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 12 V |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 正向跨导-最小值 | 70 mS |
| 漏极连续电流 | 58 mA |
| 漏源电压VDS | 8 V |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 系列 | TGF |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 15 V |
| 零件号别名 | 1098412 |
| 频率 | 20 GHz |
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