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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TF262TH-5-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF262TH-5-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF262TH-5-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TF262TH-5-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TF262TH-5-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的TF262TH-5-TL-H是一款结型场效应晶体管(JFET),属于N沟道类型。该器件常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中,具有良好的高频性能和稳定性,适用于多种电子系统和模块设计。 该型号JFET的典型应用场景包括: 1. 低噪声前置放大器:TF262TH适用于音频和射频前端放大电路,因其高输入阻抗和低噪声特性,适合用于麦克风、传感器信号放大等场合。 2. 射频(RF)电路:在通信设备中,该器件可用于射频信号的放大和处理,尤其在需要高线性度和低失真的场景中表现良好。 3. 模拟开关与多路复用器:JFET常用于构建低失真模拟开关电路,TF262TH适用于音频切换、信号路由等应用。 4. 电压控制电路:由于JFET可通过栅极电压调节导通状态,该器件可用于电压控制衰减器或可变电阻电路中。 5. 工业控制与测量设备:在需要高精度信号采集的测试仪器或工业控制系统中,作为输入级器件以提高系统精度和稳定性。 综上,TF262TH-5-TL-H适用于对噪声、线性度和高频性能有较高要求的模拟电路设计,广泛用于通信、音频设备、测试仪器等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 3.5 pF |
| Ciss-输入电容 | 3.5 pF |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MWJFET NCH J-FET |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 mA |
| Id-连续漏极电流 | 1 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor TF262TH-5-TL-H- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TF262TH-5-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 350 uA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 200mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 210µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 2V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | VTFP-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏极电流Id-最大值 | 1 mA |
| 漏极连续电流 | 1 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 漏源电压VDS | - 20 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS(开) | - |
| 系列 | TF262TH |
| 输入电容 | 3.5 pF |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 20 V |
| 闸/源截止电压 | - 1 V |