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  • 型号: TF262TH-5-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TF262TH-5-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF262TH-5-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF262TH-5-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TF262TH-5-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TF262TH-5-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的TF262TH-5-TL-H是一款结型场效应晶体管(JFET),属于N沟道类型。该器件常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中,具有良好的高频性能和稳定性,适用于多种电子系统和模块设计。

该型号JFET的典型应用场景包括:

1. 低噪声前置放大器:TF262TH适用于音频和射频前端放大电路,因其高输入阻抗和低噪声特性,适合用于麦克风、传感器信号放大等场合。

2. 射频(RF)电路:在通信设备中,该器件可用于射频信号的放大和处理,尤其在需要高线性度和低失真的场景中表现良好。

3. 模拟开关与多路复用器:JFET常用于构建低失真模拟开关电路,TF262TH适用于音频切换、信号路由等应用。

4. 电压控制电路:由于JFET可通过栅极电压调节导通状态,该器件可用于电压控制衰减器或可变电阻电路中。

5. 工业控制与测量设备:在需要高精度信号采集的测试仪器或工业控制系统中,作为输入级器件以提高系统精度和稳定性。

综上,TF262TH-5-TL-H适用于对噪声、线性度和高频性能有较高要求的模拟电路设计,广泛用于通信、音频设备、测试仪器等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-InputCapacitance

3.5 pF

Ciss-输入电容

3.5 pF

描述

JFET N-CH 1MA 100MWJFET NCH J-FET

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

1 mA

Id-连续漏极电流

1 mA

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,ON Semiconductor TF262TH-5-TL-H-

mouser_ship_limit

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产品型号

TF262TH-5-TL-H

Pd-PowerDissipation

100 mW

Pd-功率耗散

100 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 20 V

Vgs=0时的漏-源电流

350 uA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

200mV @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

210µA @ 2V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3.5pF @ 2V

产品种类

JFET

供应商器件封装

*

功率-最大值

100mW

功率耗散

100 mW

包装

*

商标

ON Semiconductor

安装类型

*

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

*

封装/箱体

VTFP-3

工厂包装数量

8000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

8,000

漏极电流(Id)-最大值

1mA

漏极电流Id-最大值

1 mA

漏极连续电流

1 mA

漏源极电压(Vdss)

-

漏源电压VDS

- 20 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

系列

TF262TH

输入电容

3.5 pF

配置

Single

闸/源击穿电压

- 20 V

闸/源截止电压

- 1 V

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