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- 型号： TF202THC-L5-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF202THC-L5-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF202THC-L5-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF202THC-L5-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF202THC-L5-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF202THC-L5-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF202THC-L5-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款JFET（结型场效应晶体管），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。该器件具有良好的高频性能和低失真特性，适合用于对信号完整性要求较高的场合。 其主要应用场景包括： 1. 音频放大电路：由于JFET具有低噪声和高线性度特性，TF202THC-L5-TL-H 常用于前置音频放大器、麦克风放大器等音频设备中，以提升音质表现。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可作为模拟信号路径中的开关元件，适用于需要高隔离度和低导通电阻的模拟开关电路和多路复用器设计。 3. 射频（RF）前端电路：在低频至中高频射频系统中，可用于信号放大或混频电路，适用于通信设备、无线接收机等。 4. 传感器接口电路：由于其高输入阻抗特性，适合用于连接高阻抗传感器（如某些压力、温度或生物传感器），以减少对被测信号的影响。 5. 精密测量仪器：在示波器、信号发生器、测试仪表等精密设备中，用于构建高精度、低漂移的模拟信号处理电路。 综上，TF202THC-L5-TL-H 主要应用于对信号质量要求较高的模拟电子系统中，尤其适合音频、射频及传感器接口等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TF202THC-L5-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 200mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 210µA @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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