ICGOO在线商城 > T354E475K035AT
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
T354E475K035AT产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供T354E475K035AT由Kemet设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供T354E475K035AT价格参考以及KemetT354E475K035AT封装/规格参数等产品信息。 你可以下载T354E475K035AT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有T354E475K035AT详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET T354E475K035AT 是一款标准工业级钽电容器,容量4.7 µF、额定电压35 V、容差±10%(K),采用模压环氧树脂封装(T354系列),符合AEC-Q200(部分批次)及RoHS要求。其典型应用场景包括: - 电源滤波与去耦:广泛用于DC-DC转换器输入/输出端、FPGA/CPU供电模块中,抑制高频噪声,提升电源稳定性; - 通信设备:在基站射频前端、光模块电源管理电路中提供低ESR、高纹波耐受能力的平滑滤波; - 工业控制与自动化:适用于PLC、HMI、传感器信号调理电路中的稳压旁路和瞬态响应支持; - 医疗电子:在便携式监护仪、超声成像设备等对可靠性要求较高的电源系统中,承担关键去耦任务; - 汽车电子(非安全关键):如车载信息娱乐系统(IVI)、仪表盘背光驱动、车身控制模块(BCM)中的次级电源滤波(需确认具体批次是否通过AEC-Q200认证)。 该器件具有良好的温度特性(-55℃~+125℃)和长期稳定性,但不适用于存在反向电压、浪涌电流过大或高频谐振风险的电路,设计时需严格遵循降额规范(建议电压降额至50%以下)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | CAP TANT 4.7UF 35V 10% RADIAL钽质电容器-固体铅 4.70uF 35.0V10% |
| ESR | 3 Ohms |
| ESR(等效串联电阻) | 3 欧姆 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Kemet |
| 产品手册 | http://www.kemet.com/docfinder?Partnumber=T354E475K035AT |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 钽电容器,钽质电容器-固体铅,Kemet T354E475K035ATT354 - UltraDip II |
| 数据手册 | http://www.kemet.com/docfinder?Partnumber=T354E475K035AT |
| 产品型号 | T354E475K035AT |
| 不同温度时的使用寿命 | - |
| 产品 | Tantalum Solid Dipped |
| 产品种类 | 钽质电容器-固体铅 |
| 其它名称 | 399-9920 |
| 制造商尺寸代码 | E |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Kemet |
| 外壳直径 | 5.5 mm |
| 外壳高度 | 10.2 mm |
| 大小/尺寸 | 0.217" 直径(5.50mm) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 封装/箱体 | Case E |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 引线直径 | 0.5 mm |
| 引线间距 | 0.250"(6.35mm) |
| 引线间隔 | 6.35 mm |
| 损耗因数DF | 5 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏泄电流 | 1.3 uA |
| 特性 | 通用 |
| 电压-额定 | 35V |
| 电压额定值 | 35 V |
| 电压额定值DC | 35 V |
| 电容 | 4.7µF |
| 端接类型 | Radial |
| 类型 | 保形涂层 |
| 系列 | T35X |
| 高度-安装(最大值) | 0.400"(10.16mm) |