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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供Si8235BD-C-IS由Silicon Laboratories设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 Si8235BD-C-IS价格参考。Silicon LaboratoriesSi8235BD-C-IS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载Si8235BD-C-IS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有Si8235BD-C-IS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Silicon Labs的SI8235BD-C-IS是一款高性能的隔离式栅极驱动器,广泛应用于需要高效、可靠电力转换和控制的场景。以下是其主要应用场景: 1. 工业电源:该器件适用于工业级开关电源(SMPS)设计,如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等。通过提供高隔离电压和快速开关能力,确保系统在高压环境下的稳定运行。 2. 电机驱动:用于三相逆变器和其他电机驱动应用中,驱动MOSFET或IGBT等功率器件。其强大的驱动能力和电气隔离特性可以保护控制电路免受高压影响,同时提高系统的效率和可靠性。 3. 电动汽车/混合动力汽车(EV/HEV):在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及牵引逆变器等关键部件中使用。这些应用要求高度可靠的隔离技术来保证乘客安全并优化电池管理。 4. 通信设备:在基站电源、电信级整流模块等场合下工作,提供稳定的信号传输与高效的能量转换,满足严苛的电磁兼容性和热性能要求。 5. 医疗设备:例如病人监护仪、呼吸机等对安全性有极高需求的产品中,利用其强化绝缘特性实现患者直接接触部分与电网之间的有效隔离。 6. 消费类电子产品:包括家用电器中的变频控制器、快充适配器等,凭借其紧凑型封装及低功耗优势,在小型化设计趋势下占据一席之地。 总之,SI8235BD-C-IS凭借其卓越的隔离性能、快速响应速度以及宽泛的工作温度范围,成为众多领域内理想的选择,特别是在那些需要兼顾效率、安全性和耐用性的应用环境中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC门驱动器 5kV 4A Dual Low Side Isolated Driver |
| 产品分类 | 隔离器 - 栅极驱动器电源管理 IC |
| 品牌 | Silicon LabsSilicon Laboratories Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 门驱动器,Silicon Labs Si8235BD-C-IS- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | Si8235BD-C-ISSI8235BD-C-IS |
| 上升/下降时间(典型值) | 12ns, 12ns (最小值) |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 产品 | Driver ICs - Various |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 传播延迟tpLH/tpHL(最大值) | 60ns, 60ns |
| 传播延迟时间 | 30 ns |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC W |
| 共模瞬态抗扰度(最小值) | 20kV/µs |
| 关闭 | Yes |
| 其它名称 | 336-1897-5 |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 508.350 mg |
| 商标 | Silicon Labs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-16 Wide |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 46 |
| 技术 | 容性耦合 |
| 最大功率耗散 | 1.2 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 46 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/silabs/Si82xx.html |
| 电压-正向(Vf)(典型值) | - |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | - |
| 电流-峰值输出 | - |
| 电流-输出高,低 | - |
| 电源电压-最大 | 24 V |
| 电源电压-最小 | 6.5 V |
| 电源电流 | 3.5 mA |
| 类型 | High Side/Low Side |
| 系列 | Si8235BD |
| 绝缘电压 | 2.5 kVrms |
| 脉宽失真(最大) | 5.6ns |
| 认可 | CQC, CSA, UR, VDE |
| 输出电压 | +/- 0.04 V |
| 输出电流 | 4 A |
| 输出端数量 | 2 |
| 通道数 | 2 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 配置 | Dual Driver |