| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供Si4501BDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 Si4501BDY-T1-GE3价格参考。VishaySi4501BDY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载Si4501BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有Si4501BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4501BDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景: 1. 便携式设备电源管理:该器件适合用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中的电源管理模块,如负载开关、电池保护电路和 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动与控制:在小型电机驱动应用中,SI4501BDY-T1-GE3 可用作 H 桥或半桥电路的一部分,实现电机的正反转和速度控制。 3. 固态继电器(SSR):由于其低导通电阻和快速开关特性,该 MOSFET 阵列可用于替代传统机械继电器,提供更长寿命和更高可靠性的解决方案。 4. USB 电源管理:适用于 USB 端口的过流保护、短路保护以及动态功率分配,确保设备安全充电或供电。 5. 音频放大器开关:在音频设备中,可用作电源开关以减少功耗并提高效率,同时避免开关噪声对音质的影响。 6. LED 驱动器:用于 LED 照明系统的电流调节和亮度控制,支持多通道独立驱动,满足不同照明需求。 7. 通信设备中的信号切换:在路由器、交换机等网络设备中,作为信号路径上的开关元件,实现高速数据传输的同时保持低插入损耗。 8. 消费类电子产品中的通用开关:例如打印机、扫描仪等外设中的电源管理和功能切换。 总之,SI4501BDY-T1-GE3 凭借其紧凑封装(TSOP-6)、低 Rds(on) 和高工作频率等特点,在各种需要高性能、小尺寸和节能设计的应用领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 30 Volts 12 Amps 4.5 Watts |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si4501BDY-T1-GE3 |
| 产品型号 | Si4501BDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.5 W |
| Pd-功率耗散 | 4.5 W |
| Qg-GateCharge | 16.5 nC, 27.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.5 nC, 27.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 mOhms, 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 mOhms, 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V, - 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V, 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 8 V |
| 上升时间 | 11 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 8 ns, 9 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns, 35 ns |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 正向跨导-最小值 | 29 S, 24 S |
| 配置 | Complementary |
| 零件号别名 | SI4501BDY-GE3 |