Datasheet下载- 型号： Si4101DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供Si4101DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 Si4101DY-T1-GE3价格参考。VishaySi4101DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载Si4101DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有Si4101DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI4101DY-T1-GE3 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的器件。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： SI4101DY-T1-GE3 适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块（VRM）。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够高效地控制电流流动，降低功率损耗。 2. 电池管理系统 (BMS)： 在便携式设备（如笔记本电脑、智能手机和平板电脑）的电池保护电路中，该 MOSFET 可用作电池充放电路径的开关，确保过流、短路和过温保护。 3. 电机驱动： 该器件适合用于小型直流电机驱动电路，例如玩具、风扇或家用电器中的电机控制。通过 PWM（脉宽调制）信号，可以实现速度调节和方向控制。 4. 消费电子设备： 在 USB 充电端口、音频放大器和其他消费电子产品中，SI4101DY-T1-GE3 可作为开关元件，提供快速切换和低功耗性能。 5. 信号切换： 在需要高频信号切换的应用中（如通信设备或数据传输线路），该 MOSFET 的快速开关特性和低电容使其成为理想选择。 6. 汽车电子： 尽管该型号主要用于低功率场景，但在某些汽车辅助系统（如车窗升降器、座椅调节等）中，也可以作为小型负载的开关元件。 总结来说，SI4101DY-T1-GE3 凭借其低导通电阻、小封装尺寸（SOT-23）和出色的电气特性，非常适合应用于便携式设备、消费电子产品、工业控制以及轻载汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOICMOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 25.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 25.7 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si4101DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | Si4101DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 6 W |
| Pd-功率耗散 | 6 W |
| Qg-GateCharge | 65 nC |
| Qg-栅极电荷 | 65 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V to - 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V to - 2.5 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 11ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 203nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 72 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 25.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25.7A (Tc) |
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