ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > Si2347DS-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： Si2347DS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供Si2347DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 Si2347DS-T1-GE3价格参考。VishaySi2347DS-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 5A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23-3。您可以下载Si2347DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有Si2347DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2347DS-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻、小尺寸和高可靠性等特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理领域。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关与负载开关，用于控制电池供电模块的通断，以降低功耗、延长待机时间；在DC-DC转换电路中作为同步整流或电平转换元件，提升能效；适用于热插拔电路和过压保护电路，防止电流冲击损坏敏感元件；还可用于LED驱动电路中的开关控制，实现高效稳定的亮度调节。 此外，由于其具备良好的热稳定性和快速开关特性，SI2347DS-T1-GE3也常用于各类消费类电子产品（如蓝牙耳机、移动电源、智能家居设备）中的信号切换和电源管理模块。其SOT-23小型封装适合高密度PCB布局，满足现代电子产品轻薄化、微型化的设计需求。 综上，SI2347DS-T1-GE3凭借其高性能与紧凑设计，是便携式设备和低功耗系统中理想的P沟道MOSFET解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23MOSFET -30V .042Ohm@10V 5A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.9 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si2347DS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | Si2347DS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| Qg-GateCharge | 6.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 68 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 68 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V to - 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V to - 2.5 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 705pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 3.8A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 配置 | Single |
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