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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SZBZX84C3V3ET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZBZX84C3V3ET1G价格参考。ON SemiconductorSZBZX84C3V3ET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SZBZX84C3V3ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SZBZX84C3V3ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的SZBZX84C3V3ET1G是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 - SZBZX84C3V3ET1G具有3.3V的齐纳电压(典型值),可用于电路中的电压稳压功能。它能够将电压限制在特定范围内,确保下游电路免受过高电压的影响。 - 常见应用:电源电路中的电压参考、低压差线性稳压器(LDO)的反馈网络。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可作为过压保护器件,防止敏感电子元件因瞬时高电压而损坏。 - 应用场景:传感器接口、通信端口(如UART、SPI、I2C等)的过压保护。 3. 信号电平转换 - 在需要将信号电平限制在特定范围内的场合,这款齐纳二极管可以用来钳位信号电压。 - 应用实例:模拟信号处理、音频电路中限制输入信号幅度。 4. 基准电压源 - SZBZX84C3V3ET1G可用作稳定的基准电压源,为其他电路组件提供精确的参考电压。 - 应用场景:比较器电路、模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC)的参考电压生成。 5. 浪涌抑制 - 在存在瞬态电压浪涌的环境中,该齐纳二极管可以快速响应并抑制浪涌电压。 - 应用实例:开关电源、继电器驱动电路中的浪涌保护。 特性总结: - 额定功率:0.5W(最大) - 齐纳电压:3.3V(典型值) - 工作温度范围:-55°C至+175°C - 封装形式:DO-214AC (SMB) 典型应用领域: - 消费类电子产品(如家用电器、音响设备) - 工业控制(如PLC模块、传感器接口) - 通信设备(如路由器、调制解调器) - 汽车电子(如车载控制器、传感器信号调理) 总之,SZBZX84C3V3ET1G是一款性能稳定、用途广泛的齐纳二极管,适用于需要电压调节、保护或参考的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3稳压二极管 ZEN REG .225W 3.3V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor SZBZX84C3V3ET1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SZBZX84C3V3ET1G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.9 V at 10 mA |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
| 电压温度系数 | - 3.5 mV/K |
| 系列 | BZX84C3V3E |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 95 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.3 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |