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产品简介:
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ON Semiconductor的SZBZX84C33LT1G是一款表面贴装的齐纳二极管,标称齐纳电压为3.3V(典型值),功率为250mW。该器件属于微型SOD-323封装,体积小、响应快,适用于空间受限的高密度电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低电流模拟电路中提供稳定的3.3V参考电压,常用于传感器信号调理、ADC/DAC参考源等场合。 2. 静电放电(ESD)保护:作为瞬态电压抑制元件,用于保护敏感的半导体器件(如MCU、接口芯片)免受静电或瞬时过压损伤,广泛应用于USB接口、按键输入和通信端口。 3. 电源管理电路:在低压电源系统中用于过压钳位,防止电源波动损坏后级电路,常见于便携式设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端。 4. 信号电平箝位:在数字和模拟信号线路中限制电压幅度,避免信号超限造成器件损坏或误操作。 5. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、智能家居设备等对尺寸和功耗要求较高的产品中。 由于其高可靠性、低漏电流和优良的温度稳定性,SZBZX84C33LT1G特别适合工作环境复杂、需长期稳定运行的小型化电子设备。同时,该型号符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SZBZX84C33LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 23.1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |