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Datasheet下载- 型号： SUM110N05-06L-E3
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SUM110N05-06L-E3产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAKMOSFET 55V 100A 158W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72005 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUM110N05-06L-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUM110N05-06L-E3SUM110N05-06L-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | SUM110N05-06L-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 110A （Tc） |
| 系列 | SUM |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
