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  • 型号: STS15N4LLF3
  • 制造商: STMicroelectronics
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STS15N4LLF3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STS15N4LLF3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STS15N4LLF3价格参考以及STMicroelectronicsSTS15N4LLF3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STS15N4LLF3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有STS15N4LLF3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 15A SOIC-8MOSFET N-channel 40V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

15 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS15N4LLF3STripFET™

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产品型号

STS15N4LLF3

Pd-PowerDissipation

2.7 W

Pd-功率耗散

2.7 W

RdsOn-漏源导通电阻

5 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

25 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2530pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

28nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 毫欧 @ 7.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

497-8488-1

典型关闭延迟时间

62 ns

功率-最大值

2.7W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

15 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Tc)

系列

STS15N4LLF3

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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