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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STQ2N62K3-AP
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STQ2N62K3-AP由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STQ2N62K3-AP价格参考。STMicroelectronicsSTQ2N62K3-AP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STQ2N62K3-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STQ2N62K3-AP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESHMOSFET N-Ch 620V 2.95 Ohm 2.2A SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STQ2N62K3-AP* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STQ2N62K3-AP |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 2,000 |
| 系列 | STQ2N62K3-AP |
| 配置 | Single |
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