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Datasheet下载- 型号： STQ1HN60K3-AP
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STQ1HN60K3-AP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STQ1HN60K3-AP由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STQ1HN60K3-AP价格参考以及STMicroelectronicsSTQ1HN60K3-AP封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STQ1HN60K3-AP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有STQ1HN60K3-AP详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 400MA TO-92MOSFET N-Ch 600V 6.4 Ohm 1.2A SuperMESH3 FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STQ1HN60K3-APSuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STQ1HN60K3-AP |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.75 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.75 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 600mA， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92 |
| 其它名称 | 497-13784-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | SuperMESH |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 400mA （Tc） |
| 系列 | STQ1HN60K3-AP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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