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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STLD128DNT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STLD128DNT4价格参考。STMicroelectronicsSTLD128DNT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STLD128DNT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STLD128DNT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STLD128DNT4是一款双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该器件主要应用于需要高效、稳定电流控制和功率处理能力的电子电路中。 应用场景包括: 1. 电源管理与DC-DC转换器:该晶体管适用于开关电源、升压/降压变换器等场合,能够有效实现电能的高效转换。 2. 负载开关与继电器驱动:由于具备较高的电流承载能力和良好的开关特性,STLD128DNT4常用于控制高功率负载的通断,如电机、灯泡或继电器线圈的驱动。 3. 工业自动化控制系统:在PLC、传感器接口及执行器控制模块中,该晶体管可用于信号放大或作为开关元件使用。 4. 汽车电子系统:适用于车载电源系统、LED照明驱动、风扇控制等场景,满足汽车应用对可靠性和工作温度范围的要求。 5. 消费类电子产品:如充电器、适配器、智能家电等设备中的功率控制电路。 该晶体管采用DFN封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB设计,并具备良好的热稳定性与耐用性,适用于中低功率应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR NPN FAST HV DPAK两极晶体管 - BJT NPN power transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics STLD128DNT4- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STLD128DNT4 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 2A,5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-8786-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC1229/PF181720?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 18 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 250µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 10 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
| 系列 | STLD128DN |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | - |