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  • 型号: STGF6NC60HD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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STGF6NC60HD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGF6NC60HD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STGF6NC60HD价格参考以及STMicroelectronicsSTGF6NC60HD封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STGF6NC60HD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有STGF6NC60HD详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

12ns/76ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

21A

描述

IGBT 600V 6A 20W TO220FPIGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

13.6nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF6NC60HDPowerMESH™

数据手册

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产品型号

STGF6NC60HD

SwitchingEnergy

20µJ (开), 68µJ (关)

TestCondition

390V, 3A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.5V @ 15V,3A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-5116-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF100920?referrer=70071840

功率-最大值

20W

功率耗散

20 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

21ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3 FP

工厂包装数量

1000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

系列

STGF6NC60HD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.9 V

集电极最大连续电流Ic

6 A

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