【STD9NM50N/规格参数】厂家_STD9NM50N中文资料_价格

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型号： STD9NM50N
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STD9NM50N产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAKMOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	7.5 A
Id-连续漏极电流	7.5 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD9NM50NMDmesh™ II
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STD9NM50N
Pd-PowerDissipation	70 W
Pd-功率耗散	70 W
Qg-GateCharge	14 nC
Qg-栅极电荷	14 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	560 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	560 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	16 ns
下降时间	19 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	570pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	560 毫欧 @ 3.7A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	497-7980-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF132291?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	45 ns
功率-最大值	70W
包装	剪切带（CT）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5A （Tc）
系列	STD9NM50N
通道模式	Enhancement
配置	Single