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产品简介:
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STMicroelectronics 的 STB6N65K3 是一款高压、高速的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的超级结(Super Junction)技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和优异的热性能。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC转换器中,如适配器、充电器、PC电源等,适用于反激式、正激式或LLC谐振拓扑结构,能有效提升电源转换效率。 2. 照明电源:适用于LED驱动电源,特别是高亮度LED照明系统,因其高耐压(650V)和低损耗特性,有助于实现小型化和高能效设计。 3. 工业电源与控制系统:在工业级电源模块、UPS(不间断电源)、逆变器等设备中作为主开关器件,提供稳定可靠的高压开关能力。 4. 消费类电子产品:用于电视、显示器等设备的内置电源部分,满足节能标准(如Energy Star)要求。 5. 待机电源电路:由于具备低漏电流和高效率,适合用于待机模式下的辅助电源设计,降低整机功耗。 STB6N65K3 采用TO-220FP或类似封装,便于散热安装,适合需要紧凑布局且对热管理有要求的应用场景。其高可靠性和耐用性也使其适用于长时间连续运行的工业与家用电器领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STB6N65K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 1,000 |