Datasheet下载- 型号： SSM6J212FE,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J212FE,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J212FE,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J212FE,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6J212FE,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6J212FE,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6J212FE,LF 是由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - 该型号的 MOSFET 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和负载开关中，作为高效的开关元件。 - 在电池管理系统（BMS）中，可用于控制电流流动、保护电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 适用于小型电机驱动电路，例如家用电器中的风扇、水泵或步进电机控制。 - 可用作 H 桥或半桥电路中的功率开关，实现电机的正转、反转及速度调节。 3. 消费电子产品 - 广泛应用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）的充电接口保护和电源切换。 - 在音频设备中，可作为信号放大或功率放大的关键组件。 4. 工业控制 - 在工业自动化设备中，用于继电器替代、固态继电器（SSR）设计以及信号隔离与放大。 - 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块，实现对负载的精确控制。 5. 照明系统 - 在 LED 照明驱动电路中，作为开关元件调节电流以确保 LED 的亮度稳定。 - 适用于调光电路，通过 PWM（脉宽调制）技术控制 LED 的亮度。 6. 通信设备 - 在通信基站、路由器或其他网络设备中，用于电源分配、电压调节和信号处理。 - 作为保护元件，防止静电放电（ESD）或浪涌电流对敏感电路造成损害。 特性优势 - 低导通电阻：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少能量损失。 - 小型封装：节省空间，便于在紧凑型设计中使用。 - 可靠性高：适合长时间运行的工业和消费类应用。 综上所述，SSM6J212FE,LF 凭借其高性能和稳定性，广泛应用于各种需要高效功率控制和信号处理的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P CH 20A 4A ES6MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J212FE |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6J212FE,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J212FE |
| 产品型号 | SSM6J212FE,LFSSM6J212FE,LF |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 14.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 94 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 94 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.3 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.3 V to - 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 970pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40.7 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | SSM6J212FELF |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | ES-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 配置 | Single |
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