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SSM5N16FUTE85LF产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 20V 100MA USV |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM5N16FU |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM5N16FUTE85LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9.3pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 10mA,4V |
| 供应商器件封装 | USV |
| 其它名称 | SSM5N16FUTE85LFCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA (Ta) |