Datasheet下载- 型号： SSM3K7002FUT5LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K7002FUT5LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K7002FUT5LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K7002FUT5LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K7002FUT5LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K7002FUT5LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET Small-signal MOSFET 60V, 150mW |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/docget.jsp?pid=SSM3K7002FU&lang=en&type=datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K7002FUT5LF |
| 产品型号 | SSM3K7002FUT5LF |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 商标 | Toshiba |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | USM-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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