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产品简介:
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参数 | 数值 |
ChannelMode | Enhancement |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | Toshiba |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET Small-signal MOSFET 60V, 150mW |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/docget.jsp?pid=SSM3K7002FU&lang=en&type=datasheet |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K7002FUT5LF |
产品型号 | SSM3K7002FUT5LF |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
产品种类 | MOSFET |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
商标 | Toshiba |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/箱体 | USM-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |