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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K106TU(TE85L)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K106TU(TE85L)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K106TU(TE85L)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM3K106TU(TE85L)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3K106TU(TE85L) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH SGL 20V 1.2A UFMMOSFET Vds=20V Id=1.2A 3Pin |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K106TU(TE85L)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K106TU点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | SSM3K106TU(TE85L)SSM3K106TU(TE85L) |
| Pd-PowerDissipation | 800 mW |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 390 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 390 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 310 毫欧 @ 600mA,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFETs - Power & Small Signal |
| 供应商器件封装 | UFM |
| 其它名称 | SSM3K106TU(TE85L)CT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.16 S / 0.58 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |