Datasheet下载- 型号： SSM3J325F,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J325F,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J325F,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J325F,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3J325F,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3J325F,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM3J325F 是由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号适用于多种电子电路中的开关和功率管理应用，以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： SSM3J325F 适合用于 DC-DC 转换器、降压或升压转换器中的开关元件。由于其低导通电阻（典型值为 0.4 Ω @ VGS = 4.5V）和快速开关特性，能够高效地进行电压调节。 2. 负载开关： 在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，该 MOSFET 可用作负载开关，控制不同模块的供电状态，以降低功耗并延长电池寿命。 3. 电机驱动： 适用于小型直流电机的驱动控制，例如玩具、家用电器中的风扇或泵。通过 PWM（脉宽调制）信号控制 MOSFET 的开关状态，实现电机速度调节。 4. 电池保护： 在锂电池或其他可充电电池管理系统中，SSM3J325F 可作为充放电路径的开关，防止过流、短路或过放电等情况发生。 5. 信号切换： 在音频设备或多路复用器中，该 MOSFET 可用于模拟信号的切换，提供低失真和高可靠性的性能。 6. 汽车电子： 尽管其额定电压较低（30V），但在某些低电压汽车子系统中（如车内照明、传感器接口等），SSM3J325F 也可发挥作用。 7. 工业控制： 用于继电器替代、电磁阀驱动或信号隔离等场合，提供更紧凑和高效的解决方案。 总结来说，SSM3J325F 凭借其小封装（SOT-23）、低导通电阻和良好的电气特性，非常适合应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域中的低功率、高效率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 270 pF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINIMOSFET P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 2 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1917605&lineid=49&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3J325F,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J325F |
| 产品型号 | SSM3J325F,LFSSM3J325F,LF |
| Pd-PowerDissipation | 600 mW |
| Pd-功率耗散 | 600 mW |
| Qg-GateCharge | 4.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.6 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 311 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.3 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.3 V to - 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 1A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | SSM3J325FLFDKR |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 311 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-346-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 系列 | SSM3J |
| 配置 | Single |
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