Datasheet下载- 型号： SS1H10HE3/61T
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SS1H10HE3/61T由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SS1H10HE3/61T价格参考。VishaySS1H10HE3/61T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SS1H10HE3/61T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SS1H10HE3/61T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 SS1H10HE3/61T 是一款单整流二极管，属于超快恢复二极管（SS系列）产品线。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) - SS1H10HE3/61T 的超快恢复特性使其非常适合用于开关电源中的整流和逆变电路。其低反向恢复时间（典型值为 35 ns）能够减少开关损耗，提高效率。 2. DC-DC 转换器 - 在 DC-DC 转换器中，该二极管可以作为续流二极管使用，确保高效的能量传输并减少电压尖峰。 3. 电机驱动与控制 - 适用于小型电机驱动电路中的整流或保护功能，例如直流电机的续流回路，防止反电动势对电路造成损害。 4. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中，该二极管可用于处理电流整流任务，确保太阳能电池板产生的电能高效转换为可用的交流电。 5. 电源适配器 - 用于电源适配器中的整流部分，提供稳定的直流输出，同时保持较低的功耗和发热。 6. 高频整流 - 由于其超快恢复特性和低正向压降（典型值为 0.9 V），SS1H10HE3/61T 非常适合高频应用环境，如高频逆变器或高频功率转换电路。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域，该二极管可用于车载充电器、LED 照明驱动电路或其他需要高效整流的场景。 8. 保护电路 - 可用作反向电压保护二极管，防止因电源极性接反而导致的设备损坏。 特性总结： - 额定电流：1 A - 额定电压：100 V - 反向恢复时间：35 ns（典型值） - 正向压降：0.9 V（典型值） 这些特性使得 SS1H10HE3/61T 成为高效率、高频应用的理想选择，尤其适用于对速度和可靠性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC肖特基二极管与整流器 100 Volt 1.0 Amp 50 Amp IFSM |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors SS1H10HE3/61T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SS1H10HE3/61TSS1H10HE3/61T |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 770mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SMA (DO-214AC) |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度-结 | 175°C （最大） |
| 工作温度范围 | + 175 C |
| 工厂包装数量 | 1800 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,800 |
| 正向电压下降 | 0.86 V at 2 A |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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