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  • 型号: SQ4946AEY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SQ4946AEY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ4946AEY-T1-GE3价格参考¥7.30-¥8.64。VishaySQ4946AEY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SQ4946AEY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SQ4946AEY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOICMOSFET 60V 7A 4W

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

7.5 A

Id-连续漏极电流

7.5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ4946AEY-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SQ4946AEY-T1-GE3SQ4946AEY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

4 W

Pd-功率耗散

4 W

Qg-GateCharge

11.7 nC

Qg-栅极电荷

11.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

33 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

33 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

3.3 ns

下降时间

2.1 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 4.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

22.4 ns

功率-最大值

4W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

33 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

15 S

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

7.5 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A

系列

TrenchFET

配置

Dual

零件号别名

SQ4946AEY-GE3

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