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  • 型号: SQ3442EV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SQ3442EV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ3442EV-T1-GE3价格参考。VishaySQ3442EV-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SQ3442EV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SQ3442EV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOPMOSFET 20V 4.3A 1.7W N-Ch Automotive

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.3 A

Id-连续漏极电流

4.3 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ3442EV-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SQ3442EV-T1-GE3SQ3442EV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.7 W

Pd-功率耗散

1.7 W

Qg-GateCharge

3.5 nC

Qg-栅极电荷

3.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

55 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

55 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

15 nS

下降时间

6 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

405pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SQ3442EV-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

14 nS

功率-最大值

1.7W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

55 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

4.3 A

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Tc)

配置

Single

零件号别名

SQ3442EV-GE3

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