Datasheet下载- 型号： SPP06N60C3XKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP06N60C3XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP06N60C3XKSA1价格参考。InfineonSPP06N60C3XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPP06N60C3XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP06N60C3XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 SPP06N60C3XKSA1 的MOSFET，属于高压功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。以下是其典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：适用于各类AC-DC电源转换器，如适配器、充电器、服务器电源等，具备高效率和低导通损耗的特点，适合高频工作环境。 2. LED照明驱动：用于高亮度LED照明系统的电源驱动电路，提供稳定高效的电流控制。 3. 电机控制与驱动：在工业自动化、电动工具、家电电机控制中，作为功率开关使用，具备良好的热稳定性和快速开关特性。 4. DC-DC转换器：适用于各类电压调节模块（VRM）、车载电源系统、新能源设备中的直流电压变换电路。 5. 家电产品：如变频空调、洗衣机等家电中的功率控制模块，支持高效节能运行。 该器件具备600V耐压、低导通电阻（Rds(on)）及高可靠性，适用于多种高电压、中高功率应用场景，是工业与消费类电源设计中的常用器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP06N60C3XKSA1 |
| 产品型号 | SPP06N60C3XKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 52 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 5.6 S |
| 系列 | SPP06N60 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000681028 |
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