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  • 型号: SPP02N80C3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPP02N80C3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP02N80C3价格参考。InfineonSPP02N80C3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPP02N80C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPP02N80C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 2A TO-220ABMOSFET COOL MOS N-CH 800V 2A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP02N80C3CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPP02N80C3_rev2%5b1%5d.9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a8f1e75f5c57

产品型号

SPP02N80C3

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.7 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.7 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 120µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

290pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.7 欧姆 @ 1.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

SP000013732
SP000683150
SPP02N80C3IN
SPP02N80C3X
SPP02N80C3XK
SPP02N80C3XKSA1
SPP02N80C3XTIN
SPP02N80C3XTIN-ND

典型关闭延迟时间

65 ns

功率-最大值

42W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Tc)

系列

SPP02N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP000683150 SPP02N80C3XKSA1

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