Datasheet下载- 型号： SPP02N60C3XKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP02N60C3XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP02N60C3XKSA1价格参考。InfineonSPP02N60C3XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPP02N60C3XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP02N60C3XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的型号为 SPP02N60C3XKSA1 的晶体管属于功率MOSFET器件，主要用于高效率、高频开关应用。该器件具备良好的导通和开关性能，适用于多种电源管理和功率转换场景。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、智能手机等设备的AC-DC电源转换系统中，实现高效能和小型化设计。 2. 服务器与通信电源系统：在数据中心和通信设备的电源模块中，作为高频率开关元件，提高能量转换效率并降低损耗。 3. LED照明驱动：用于高亮度LED照明系统的恒流驱动电路中，提供稳定高效的电源控制。 4. 工业自动化电源：应用于工业控制设备中的DC-DC转换器或电机驱动电路，支持可靠稳定的工业运行环境。 5. 消费类电子产品：如电视、音响等家电产品中的电源管理模块，提升整机能效表现。 该MOSFET基于CoolMOS™技术，具有低导通电阻和优异的开关特性，适合要求高性能与节能的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP02N60C3XKSA1 |
| 产品型号 | SPP02N60C3XKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | SPP02N60 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000681014 |
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