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  • 型号: SPI80N08S2-07
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPI80N08S2-07由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPI80N08S2-07价格参考。InfineonSPI80N08S2-07封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPI80N08S2-07参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPI80N08S2-07 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPP_B_80N08S2-07_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426ec3d3b03&fileId=db3a304412b407950112b426eca73b04

产品图片

产品型号

SPI80N08S2-07

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6130pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

180nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.4 毫欧 @ 66A,10V

供应商器件封装

P-TO262-3

其它名称

SP000013954
SPI80N08S207

功率-最大值

300W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

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